RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
4142
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link