RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
4142
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link