RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3091
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link