RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
4506
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link