RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3291
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link