RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14200
12800
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2735
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link