RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2925
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link