RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
49
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2281
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link