RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2284
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link