RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2537
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link