RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3045
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link