RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3113
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link