RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2451
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link