RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3314
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link