RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
52
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2306
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link