RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2873
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link