RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2320
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link