RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3068
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link