RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3158
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link