RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
52
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2362
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link