RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
52
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2362
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link