RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2159
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link