RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
52
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
41
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2238
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link