RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
52
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2732
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link