RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3026
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link