RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2768
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link