RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
52
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2783
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link