RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2199
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link