RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
106
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
106
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1252
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link