RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
60
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
60
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2554
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link