RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3019
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link