RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3448
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link