RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3209
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link