RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3262
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link