RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3460
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link