RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2597
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link