RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3344
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link