RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2399
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link