RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3325
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link