RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3325
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link