RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2585
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link