RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2495
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link