RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
44
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3722
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link