RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2882
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link