RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3889
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link