RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3529
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link