RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3158
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link