RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3804
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link