RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3837
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link