RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
44
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
41
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2044
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link