RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2815
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link