RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3052
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link