RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
44
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2427
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link